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PECVD等离子体化学气相沉积系统

发布时间:2017-11-15  浏览次数:4179

设备简介:

该产品是由固态等离子源、气体质子流量控制系统、衬底控温系统、真空系统组成,采用集中总线控制技术的诺巴迪操作软件。适用于室温至1200℃条件下进行SiO2、SiNx薄膜的沉积,同时可实现TEOS源沉积,SiC膜层沉积以及液态气态源沉积其它材料,尤其适合于有机材料上高效保护层膜和特定温度下无损伤钝化膜的沉积。



 

 

 

 

 



配置详情

 

1. 清洗镀膜一气呵成,杜绝二次污染;

2. 上开启式结构,方便观察试样;

3. 产品采用全自动控制方式,触摸屏,数字化显示;

4. 设备一体化程度高; 

5. 稳定的射频电源,均匀的温度分布,提高成膜质量;

产品型号

NBD-PECVD1200-80IT

电气规格

AC220V    4KW

最高温度

1200 ℃

连续温度

1150℃

最高加热速率

≤  20 ℃/分钟

射频电源

500W   13.56MHz

炉管尺寸

Φ80*1200mm

沉积示意图

 

如图所示:此为该设备沉积过程中的示意图

控制系统

 

1.采用全自动控制方式,触摸屏实时显示设备各项数据;

2.实验过程更加直观,操作更加便捷;

3.具有超温报警、断偶提示、漏电保护等功能。

温度精度

+/- 1 ℃

加热元件

 

Mo掺杂的Fe-Cr-Al合金

密封系统

 

 

 

真空度:≤10Pa(机械泵)

压力测量与监控

 

采用数显真空计,可使设备真空度更加直观,实验结果更加准确。

供气系统

 

采用两路质子流量计精确控制气体流速,与设备集成为一体;

净重

360KG

设备使用注意事项

1.设备使用时,炉管内压力不得超过0.125MPa(绝对压力),以防止压力过大造成设备损坏;

2.真空下使用时),设备使用温度不得超过800℃。

服务支持

1年质保,提供终身支持(保修范围内不包括易耗部件,例如炉管和密封圈等)。 


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